パワーMOSFET MOSBDシリーズ: TPC8A07-H
各種情報通信機器・通信基地局などに搭載されるCPU及び映像処理用ICは低電圧・大電流化が進む一方で、これらのCPUおよびICを駆動するDC-DCコンバータには更なる高効率化・小型化が要求されます。今回開発した新製品は、同期整流DC-DCコンバータのローサイドに使用されるMOSFETとSBDを同一チップに形成することで従来個別に接続していた外部SBDの省略、MOSFETとSBD間の配線インダクタンス削減によるデッドタイム期間中の損失低減とノイズ低減に貢献します。
特長
- コンパクト
ハイサイドMOSFET、ローサイドMOSBD(SBD内蔵MOSFET)を 1つのパッケージに搭載。 - 高効率
· MOSFETは 高速のU-MOS V-Hプロセスを採用。
· MOSFETとSBDを同一チップ上に形成、配線のインダクタンス削減により、外付けSBD外付け時よりも損失を低減。
- ノイズ(スパイク電圧) 低減
SBD内蔵により、ハイサイドMOSFETがターンオンした時のローサイドMOSFETのD-S間に発生するスパイク電圧を低減。
応用回路例
- 出力電流 3～4A程度の同期整流方式型DC-DCコンバータに最適です。
(回路例)
外形図・接続図
- 外形図
- 接続図
主要特性
| 品番 | 絶対最大定格 | RDS(ON) (mΩ) @VGS=4.5V |
Crss (pF) | Ciss (pF) | パッケージ | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| VDSS (V) | ID (A) | 標準 | 最大 | 標準 | 標準 | |||
| TPC8A07-H | Q1 | 30 | 6.8 | 21 | 28 | 54 | 830 | SOP-8 |
| Q2 | 30 | 8.5 | 14 | 19 | 50 | 1110 | ||
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